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當前位置:首頁產品中心光電探測器銦鎵砷探測器InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器

InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器

產品簡介

InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器低成本、低噪聲、高靈敏度、高可靠性、高速響應

產品型號:
更新時間:2025-01-22
廠商性質:生產廠家
訪問量:1925
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InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器


特點

G12181-230K

長波長類型(截止波長:1.85 μm)

- 截止波長:1.85 μm

- 兩級電子冷卻型

- 低成本

- 受光面:φ3 mm

- 低噪聲

- 高靈敏度

- 高可靠性

- 高速響應 

 

 

G12183-230K

長波長類型(截止波長:2.55 μm)

- 截止波長:2.55 μm

- 兩級電子冷卻型

- 低成本

- 受光面:φ3 mm

- 低噪聲

- 高靈敏度

- 高可靠性

- 高速響應

 

 

參數:

型號/參數

G12181-030K

G12183-230K

受光面

φ3.0 mm

φ3.0 mm

像素數

1

1

封裝

金屬

金屬

封裝類別

TO-8

TO-8

散熱

兩級電子冷卻型

兩級電子冷卻型

靈敏度波長范圍

0.9 到 1.85 μm

0.9 到 2.55 μm

最大靈敏度波長(典型值)

1.75 μm

2.3 μm

感光靈敏度(典型值)

1.1 A/W

1.3 A/W

暗電流(最大值)

50 nA

60000 nA

截止頻率(典型值)

1.9 MHz

1 MHz

結電容(典型值)

1700 pF

3200 pF

噪聲等效功率(典型值)

3.5×10-14 W/Hz1/2

6×10-13 W/Hz1/2

測量條件

典型值 Tc=-20°C,除非另有說明,感光靈敏度:λ=λp,暗電流:VR=0.5 V,截止頻率:VR=0V,RL=50Ω,結電容:VR=0V,f=1MHz

典型值 Tc=-20°C,除非另有說明,感光靈敏度:λ=λp,暗電流:VR=0.5 V,截止頻率:VR=0 V,RL=50Ω,結電容:VR=0V,f =1MHz

 

光譜靈敏度特性

 InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器2.jpegInGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器3.jpeg

外形尺寸圖(單位:mm)

InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器4.jpeg

InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器

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